擴大和三星、SK海力士合作 英特爾在韓國首爾設立芯片研究
根據(jù)韓媒 koreaherald 報道，英特爾計劃在韓國首爾設立科研實驗室，通過擴展和三星、SK 海力士的合作，推進適用于數(shù)據(jù)中心的 DRAM 芯片研發(fā)工作。
位于首爾的數(shù)據(jù)中心開發(fā)實驗室將于今年年底前竣工開業(yè)，主要負責為數(shù)據(jù)中心開發(fā) DDR5 DRAM 內(nèi)存技術。
英特爾在 Vision 2023 活動中，還表示在美國、中國、印度和墨西哥等地再設立 6 個科研機構(gòu)，主要負責研究和認證服務器半導體芯片。
英特爾還擴大和三星、SK 海力士的合作，測試和評估 DDR5 和 Compute Express Link 等下一代內(nèi)存產(chǎn)品的性能。
IT之家此前報道，SK 海力士最近宣布其第 5 代 10nm 工藝 1bnm 已完成驗證，滿足下一代 DDR5 和 HBM3E 的解決需求。
該公司表示，Xeon Scalable 獲得了英特爾認證，以支持基于 10 億納米節(jié)點構(gòu)建的 DDR5 產(chǎn)品。三星還開始量產(chǎn)采用 12nm 工藝節(jié)點的 16B DDR5 DRAM。
位于首爾的數(shù)據(jù)中心開發(fā)實驗室將于今年年底前竣工開業(yè)，主要負責為數(shù)據(jù)中心開發(fā) DDR5 DRAM 內(nèi)存技術。
英特爾在 Vision 2023 活動中，還表示在美國、中國、印度和墨西哥等地再設立 6 個科研機構(gòu)，主要負責研究和認證服務器半導體芯片。
英特爾還擴大和三星、SK 海力士的合作，測試和評估 DDR5 和 Compute Express Link 等下一代內(nèi)存產(chǎn)品的性能。
IT之家此前報道，SK 海力士最近宣布其第 5 代 10nm 工藝 1bnm 已完成驗證，滿足下一代 DDR5 和 HBM3E 的解決需求。
該公司表示，Xeon Scalable 獲得了英特爾認證，以支持基于 10 億納米節(jié)點構(gòu)建的 DDR5 產(chǎn)品。三星還開始量產(chǎn)采用 12nm 工藝節(jié)點的 16B DDR5 DRAM。
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